MZ-VAP2T0CW
Новинка
- Код товара9100 Pro
- ПроизводительSamsung
- DRAM буферда
- Все характеристики
Под заказ ✓
33 810 р
Доступны доставка и самовывоз:
- Рассчитать примерную стоимость доставки
- Самовывоз сегодня, бесплатно
- Рассчитать примерную стоимость доставки
- Самовывоз сегодня, бесплатно
SSD накопитель Samsung 9100 Pro 2 ТБ (MZ-VAP2T0CW) выполнен в форм-факторе M.2 и использует интерфейс PCI-E 5.0 с поддержкой NVMe, что обеспечивает экстремально высокую скорость работы с данными. Модель оснащена памятью типа TLC объёмом 2 ТБ, что подходит для хранения большого объёма информации, работы с ресурсоёмкими приложениями и современными проектами.
Накопитель развивает скорость последовательного чтения до 14700 Мб/с и записи до 13400 Мб/с, а также обеспечивает производительность до 1850000 IOPS при случайном чтении и до 2600000 IOPS при случайной записи, что значительно ускоряет загрузку системы и обработку данных. Контроллер собственной разработки Samsung обеспечивает стабильную и эффективную работу устройства, а наличие DRAM-буфера повышает скорость отклика и производительность при высоких нагрузках.
Ресурс работы составляет 1200 ТБ, а наработка на отказ достигает 1500000 часов, что подтверждает надёжность накопителя при длительной эксплуатации. Потребляемая мощность 8.1 Вт соответствует высокопроизводительному классу устройства. Увеличенная ширина 25 мм и толщина 9 мм учитываются при установке, а вес 30 г подчёркивает наличие массивной конструкции.
Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
Накопитель развивает скорость последовательного чтения до 14700 Мб/с и записи до 13400 Мб/с, а также обеспечивает производительность до 1850000 IOPS при случайном чтении и до 2600000 IOPS при случайной записи, что значительно ускоряет загрузку системы и обработку данных. Контроллер собственной разработки Samsung обеспечивает стабильную и эффективную работу устройства, а наличие DRAM-буфера повышает скорость отклика и производительность при высоких нагрузках.
Ресурс работы составляет 1200 ТБ, а наработка на отказ достигает 1500000 часов, что подтверждает надёжность накопителя при длительной эксплуатации. Потребляемая мощность 8.1 Вт соответствует высокопроизводительному классу устройства. Увеличенная ширина 25 мм и толщина 9 мм учитываются при установке, а вес 30 г подчёркивает наличие массивной конструкции.
Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
Общие
- DRAM буферда
- Вес, г30
- Вес, кгне будет данных
- Гарантийный срок12 МСЦ
- Длина, мм80
- Для геймеровнет
- ИнтерфейсPCI-E 5.0
- КонтроллерSamsung in-house
- Максимальная скорость случайного чтения, IOPS1850000
- Максимальная скорость случайной записи, IOPS2600000
- Наработка на отказ1500000
- Объем буфера2048 mb
- Объем памяти2 ТБ
- Поддержка NVMeда
- Потребляемая мощность8.1 ВТ
- Размер, ммне будет данных
- Ресурс работы (TBW)1200 ТБ
- Страна происхожденияЮжная Корея
- Тип памятиTLC
- Толщина, мм9
- Форм-факторM.2
- Цветчёрный
- Ширина, мм25
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
Вы недавно смотрели