NT01NV3000-250-E4X
Новинка
- Код товараNV3000
- ПроизводительNetac
- DRAM буфернет
- Все характеристики
Под заказ ✓
5 520 р
Доступны доставка и самовывоз:
- Рассчитать примерную стоимость доставки
- Самовывоз сегодня, бесплатно
- Рассчитать примерную стоимость доставки
- Самовывоз сегодня, бесплатно
SSD накопитель Netac NV3000 250 ГБ (NT01NV3000-250-E4X) выполнен в форм-факторе M.2 и использует интерфейс PCI-E 3.0 с поддержкой NVMe, что обеспечивает высокую скорость обработки данных. Модель оснащена памятью типа QLC объёмом 250 ГБ, что подходит для установки операционной системы, программ и хранения повседневных файлов.
Накопитель развивает скорость последовательного чтения до 3000 Мб/с и записи до 1400 Мб/с, а также обеспечивает производительность до 95000 IOPS при случайном чтении и до 120000 IOPS при случайной записи, что ускоряет загрузку системы и повышает отзывчивость приложений. Контроллер Silicon Motion поддерживает стабильную работу устройства без использования DRAM-буфера.
Ресурс работы составляет 150 ТБ, а наработка на отказ достигает 2000000 часов, что подтверждает надёжность накопителя при длительной эксплуатации. Компактные размеры 80×22×3 мм и толщина 2.9 мм позволяют установить устройство в совместимые системы, а вес 8 г делает его удобным для использования в компактных сборках.
Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
Накопитель развивает скорость последовательного чтения до 3000 Мб/с и записи до 1400 Мб/с, а также обеспечивает производительность до 95000 IOPS при случайном чтении и до 120000 IOPS при случайной записи, что ускоряет загрузку системы и повышает отзывчивость приложений. Контроллер Silicon Motion поддерживает стабильную работу устройства без использования DRAM-буфера.
Ресурс работы составляет 150 ТБ, а наработка на отказ достигает 2000000 часов, что подтверждает надёжность накопителя при длительной эксплуатации. Компактные размеры 80×22×3 мм и толщина 2.9 мм позволяют установить устройство в совместимые системы, а вес 8 г делает его удобным для использования в компактных сборках.
Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
Общие
- DRAM буфернет
- Вес, г8
- Вес, кгне будет данных
- Гарантийный срок60 МСЦ
- Длина, мм80
- Для геймеровнет
- ИнтерфейсPCI-E 3.0
- КонтроллерSilicon Motion
- Максимальная скорость случайного чтения, IOPS95000
- Максимальная скорость случайной записи, IOPS120000
- Наработка на отказ2000000
- Объем буфера999999999 mb
- Объем памяти250 ГБ
- Поддержка NVMeда
- Потребляемая мощность999999.999 ВТ
- Размер, ммне будет данных
- Ресурс работы (TBW)150 ТБ
- Страна происхожденияКитай
- Тип памятиQLC
- Толщина, мм2.9
- Форм-факторM.2
- Цветчёрный
- Ширина, мм22
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
Вы недавно смотрели