MZ-VAP1T0CW
Новинка
- Код товараMZ-VAP1T0CW
- ПроизводительSamsung
- DRAM буферда
- Все характеристики
Под заказ ✓
22 300 р
Доступны доставка и самовывоз:
- Рассчитать примерную стоимость доставки
- Самовывоз сегодня, бесплатно
- Рассчитать примерную стоимость доставки
- Самовывоз сегодня, бесплатно
SSD накопитель Samsung предназначен для высокопроизводительных и игровых систем с поддержкой форм-фактора M.2 и интерфейса PCI-E 5.0. Объём 1 ТБ позволяет хранить операционную систему, современные игры и рабочие проекты, обеспечивая максимальную скорость отклика. Накопитель поддерживает технологию NVMe.
Модель имеет размеры 80.15×25×8.88 мм и весит 30 г. Корпус выполнен в чёрном цвете. Накопитель построен на памяти типа TLC и оснащён буфером объёмом 1024 МБ, что способствует стабильной передаче данных при высоких нагрузках.
Максимальная скорость чтения достигает 14700 Мб/с, записи — 13300 Мб/с. Скорость случайного чтения составляет 1850000 IOPS, случайной записи — 2600000 IOPS, что ускоряет запуск системы и обработку больших объёмов информации. Потребляемая мощность 7.6 Вт учитывается при проектировании конфигурации.
Ресурс работы достигает 600 ТБ перезаписи, наработка на отказ — 1500000 часов.
Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
Модель имеет размеры 80.15×25×8.88 мм и весит 30 г. Корпус выполнен в чёрном цвете. Накопитель построен на памяти типа TLC и оснащён буфером объёмом 1024 МБ, что способствует стабильной передаче данных при высоких нагрузках.
Максимальная скорость чтения достигает 14700 Мб/с, записи — 13300 Мб/с. Скорость случайного чтения составляет 1850000 IOPS, случайной записи — 2600000 IOPS, что ускоряет запуск системы и обработку больших объёмов информации. Потребляемая мощность 7.6 Вт учитывается при проектировании конфигурации.
Ресурс работы достигает 600 ТБ перезаписи, наработка на отказ — 1500000 часов.
Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
Общие
- DRAM буферда
- Вес, г30
- Вес, кгне будет данных
- Гарантийный срок12 МСЦ
- Длина, мм80.15
- Для геймеровда
- ИнтерфейсPCI-E 5.0
- КонтроллерSamsung in-house
- Максимальная скорость записи13300 МБ/с
- Максимальная скорость случайного чтения, IOPS1850000
- Максимальная скорость случайной записи, IOPS2600000
- Максимальная скорость чтения14700 МБ/с
- Наработка на отказ1500000
- Объем буфера1024 mb
- Объем памяти1 ТБ
- Поддержка NVMeда
- Потребляемая мощность7.6 ВТ
- Размер, ммне будет данных
- Ресурс работы (TBW)600 ТБ
- Страна происхожденияЮжная Корея
- Тип памятиTLC
- Толщина, мм8.88
- Форм-факторM.2
- Цветчёрный
- Ширина, мм25
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
WDS100T5G0A
Новинка
MZ-V9S4T0BW
Новинка
SSD накопитель Samsung 990 EVO plus 4Tb M.2 PCI-E 4.0x4 (MZ-V9S4T0BW)
MZ-V9S4T0BW
Под заказ ✓
45 990 р
AP256GAS2280P4-1
Новинка
SSD накопитель Apacer AS2280P4 256Gb M.2 2280 PCIe Gen3x4(AP256GAS2280P4-1)
AP256GAS2280P4-1
Под заказ ✓
5 750 р
AP512GAS2280Q4X-1
Новинка
SSD накопитель Apacer SSD AS2280Q4X 512Gb M.2 2280 G4x4(AP512GAS2280Q4X-1)
AP512GAS2280Q4X-1
Под заказ ✓
10 010 р
AP512GAS2280P4UPRO-1
Новинка
SSD накопитель Apacer AS2280P4U PRO 512Gb G3x4(AP512GAS2280P4UPRO-1)
AP512GAS2280P4UPRO-1
Под заказ ✓
9 500 р
Вы недавно смотрели
Новинка
Новинка
Новинка
Новинка
1006085
Новинка
