MZ-V9S4T0BW
Новинка
- Код товараMZ-V9S4T0BW
- ПроизводительSamsung
- DRAM буферзаглушка бд
- Все характеристики
Под заказ ✓
45 990 р
Доступны доставка и самовывоз:
- Рассчитать примерную стоимость доставки
- Самовывоз сегодня, бесплатно
- Рассчитать примерную стоимость доставки
- Самовывоз сегодня, бесплатно
SSD накопитель Samsung 990 Evo Plus (MZ-V9S4T0BW) предназначен для производительных и игровых систем с поддержкой форм-фактора M.2 и интерфейса PCI-E 4.0. Объём 4 ТБ позволяет хранить операционную систему, крупные проекты и современные игры, обеспечивая высокую скорость загрузки и отклика. Накопитель поддерживает технологию NVMe.
Модель имеет размеры 80×22×2 мм и весит 9 г, что делает её удобной для установки в настольные компьютеры и ноутбуки. Корпус выполнен в чёрном цвете. Накопитель построен на памяти типа TLC, оснащён контроллером Samsung Piccolo S4LY022.
Максимальная скорость чтения достигает 7250 Мб/с, записи — 6300 Мб/с. Скорость случайного чтения составляет 1050000 IOPS, случайной записи — 1400000 IOPS. Потребляемая мощность: 5.5 Вт. Ресурс работы достигает 2400 ТБ перезаписи, наработка на отказ — 1500000 часов.
Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
Модель имеет размеры 80×22×2 мм и весит 9 г, что делает её удобной для установки в настольные компьютеры и ноутбуки. Корпус выполнен в чёрном цвете. Накопитель построен на памяти типа TLC, оснащён контроллером Samsung Piccolo S4LY022.
Максимальная скорость чтения достигает 7250 Мб/с, записи — 6300 Мб/с. Скорость случайного чтения составляет 1050000 IOPS, случайной записи — 1400000 IOPS. Потребляемая мощность: 5.5 Вт. Ресурс работы достигает 2400 ТБ перезаписи, наработка на отказ — 1500000 часов.
Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
Общие
- DRAM буферзаглушка бд
- Артикул, схожий по характеристикам для описания2295583
- Вес, г9
- Вес, кгне будет данных
- Гарантийный срок12 МСЦ
- Длина, мм80
- Для геймеровда
- ИнтерфейсPCI-E 4.0
- Контроллерзаглушка бд
- Максимальная скорость записи6300 МБ/с
- Максимальная скорость случайного чтения, IOPS1050000
- Максимальная скорость случайной записи, IOPS1400000
- Максимальная скорость чтения7250 МБ/с
- Наработка на отказ888888999
- Объем буфера888888999 mb
- Объем памяти4 ТБ
- Поддержка NVMeда
- Потребляемая мощность5.5 ВТ
- Размер, ммне будет данных
- Ресурс работы (TBW)2400 ТБ
- Страна происхожденияЮжная Корея
- Тип памятиTLC
- Толщина, мм2
- Форм-факторM.2
- Цветзаглушка бд
- Ширина, мм22
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
Вы недавно смотрели