MZ-V9S1T0BW
Новинка
- Код товараMZ-V9S1T0BW
- ПроизводительSamsung
- DRAM буфернет
- Все характеристики
В наличии ✓
24 190 р
Доступны доставка и самовывоз:
- Рассчитать примерную стоимость доставки
- Самовывоз сегодня, бесплатно
- Рассчитать примерную стоимость доставки
- Самовывоз сегодня, бесплатно
Твердотельный накопитель Samsung 990 Evo Plus (MZ-V9S1T0BW ) — это устройство, которое обеспечивает высокую скорость работы вашего компьютера или ноутбука. Оно позволяет значительно ускорить загрузку операционной системы, запуск приложений и передачу данных.
Накопитель имеет ёмкость 1 Тб, что позволяет хранить большое количество файлов, фотографий, видео и другой информации. Благодаря использованиюфлэш-памяти типа TLC, он обеспечивает высокую скорость чтения и записи данных. Это делает его отличным выбором для тех, кто ценит быстродействие и производительность.
Накопитель имеетформ-фактор M.2 и размер 2280, что позволяет легко установить его на материнскую плату вашего устройства. Благодаря компактным размерам он не занимает много места и не создаёт дополнительных неудобств при установке.
Samsung 990 Evo Plus (MZ-V9S1T0BW ) отличается высокой надёжностью и долговечностью, что делает его идеальным выбором как для домашнего использования, так и для профессиональных задач. Технология Samsung V-NAND и улучшенный контроллер обеспечивают стабильную и эффективную работу в течение длительного времени.
Накопитель поддерживает технологию TRIM, которая оптимизирует производительность устройства и продлевает его срок службы. Он совместим с большинством операционных систем и устройств, что делает его универсальным выбором для широкого круга пользователей.
Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
Накопитель имеет ёмкость 1 Тб, что позволяет хранить большое количество файлов, фотографий, видео и другой информации. Благодаря использованию
Накопитель имеет
Samsung 990 Evo Plus (
Накопитель поддерживает технологию TRIM, которая оптимизирует производительность устройства и продлевает его срок службы. Он совместим с большинством операционных систем и устройств, что делает его универсальным выбором для широкого круга пользователей.
Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
Общие
- DRAM буфернет
- Вес, г9
- Вес, кгне будет данных
- Гарантийный срок12 МСЦ
- Длина, мм80.15
- Для геймеровда
- ИнтерфейсPCI-E 4.0
- КонтроллерSamsung Piccolo S4LY022
- Максимальная скорость записи6300 МБ/с
- Максимальная скорость случайного чтения, IOPS850000
- Максимальная скорость случайной записи, IOPS1350000
- Максимальная скорость чтения7150 МБ/с
- Наработка на отказ1500000
- Объем буфера999999999 mb
- Объем памяти1 ТБ
- Поддержка NVMeда
- Потребляемая мощность4.3 ВТ
- Размер, ммне будет данных
- Ресурс работы (TBW)600,600 ТБ
- Страна происхожденияЮжная Корея
- Тип памятиTLC
- Толщина, мм2.38
- Форм-факторM.2
- Цветчёрный
- Ширина, мм22
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
Вы недавно смотрели