MZ-V9E2T0BW
Новинка
- Код товараMZ-V9E2T0BW
- ПроизводительSamsung
- DRAM буферзаглушка бд
- Все характеристики
Под заказ ✓
24 480 р
Доступны доставка и самовывоз:
- Рассчитать примерную стоимость доставки
- Самовывоз сегодня, бесплатно
- Рассчитать примерную стоимость доставки
- Самовывоз сегодня, бесплатно
SSD накопитель Samsung 990 2 ТБ (MZ-V9E2T0BW)
Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.
Общие
- DRAM буферзаглушка бд
- Вес, г9
- Вес, кгне будет данных
- Гарантийный срок12 МСЦ
- Длина, мм80
- Для геймеровда
- ИнтерфейсPCI-E
- Контроллерзаглушка бд
- Максимальная скорость записи4200 МБ/с
- Максимальная скорость случайного чтения, IOPS700000
- Максимальная скорость случайной записи, IOPS800000
- Максимальная скорость чтения5000 МБ/с
- Наработка на отказ888888999
- Объем буфера888888999 mb
- Объем памяти2 ТБ
- Поддержка NVMeда
- Потребляемая мощность5.5 ВТ
- Размер, ммне будет данных
- Ресурс работы (TBW)1200 Тб,1200 ТБ
- Страна происхожденияЮжная Корея
- Тип памятиMLC
- Толщина, мм2.38
- Форм-факторM.2
- Цветзаглушка бд
- Ширина, мм22
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Похожие товары
Вы недавно смотрели